信號(hào)質(zhì)量測(cè)試結(jié)果分析注意事項(xiàng)

1）對(duì)設(shè)計(jì)缺陷的窄脈沖（如邏輯設(shè)計(jì)缺陷）等，不屬于信號(hào)質(zhì)量要求范圍，而 屬于設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，必須進(jìn)行更正；

2）參照信號(hào)的用途，分析信號(hào)質(zhì)量對(duì)單板的影響。 一些情況下差的信號(hào)質(zhì)量不一定會(huì)對(duì)系統(tǒng)造成影響的，不能單純參照指標(biāo)。比如數(shù)據(jù)、地址線是電平有效信號(hào)，并且通常在讀寫(xiě)控制信號(hào)的上升 /下降采樣，邊沿處信號(hào)質(zhì)量 對(duì)系統(tǒng)影響不大。因此在選擇我們關(guān)注的測(cè)試指標(biāo)時(shí)要按需求選擇。但是也應(yīng)當(dāng)指出，邊沿處的過(guò)沖雖然對(duì)系統(tǒng)的功能實(shí)現(xiàn)可能沒(méi)有影響，可是會(huì)對(duì)器件的壽命造成不良影 響。

3）酌情考慮輸入信號(hào)的過(guò)沖對(duì)器件的影響，視器件本身的設(shè)計(jì)，工藝而定。 現(xiàn)在的 CMOS工藝的輸入電平可達(dá)0～7V，所以高電平過(guò)沖對(duì)器件的影響較小，主要應(yīng)該關(guān)注低電平過(guò)沖。器件功能出現(xiàn)異?？赡懿粌H與低電平過(guò)沖的幅度有關(guān)，還與低電平過(guò) 沖的時(shí)間寬度有關(guān)。對(duì)CMOS器件尤其要注意其低電平過(guò)沖的影響，可能造成閂鎖現(xiàn)象。對(duì)于不同的器件，對(duì)低電平要求應(yīng)符合廠家規(guī)定的 absolutemaximum rating 的要求。

4）信號(hào)波形不標(biāo)準(zhǔn)時(shí)可能是該信號(hào)處于三態(tài)，或單板在此時(shí)并不使用該信號(hào)， 對(duì)此類信號(hào)要注意分析此信號(hào)是否為有效期間，如果在無(wú)效期間可視其為正常信號(hào)。

北京淼森波信息技術(shù)有限公司主要提供高速電路測(cè)試服務(wù)，測(cè)試團(tuán)隊(duì)擁有10年以上硬件開(kāi)發(fā)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)。

高速電路測(cè)試服務(wù)項(xiàng)目有：

①SI信號(hào)完整性測(cè)試，主要內(nèi)容是電源上電時(shí)序、復(fù)位、時(shí)鐘、I2C、SPI、Flash、DDR、JTAG接口、CPLD接口測(cè)試、URAT測(cè)試、網(wǎng)口測(cè)試、USB2.0/USB3.0測(cè)試、MIPI測(cè)試、HDMI測(cè)試、及板卡上其它芯片接口的信號(hào)測(cè)試。

②PI電源完整性測(cè)試，主要內(nèi)容是電源的電壓值（精度）、電源噪聲/紋波、電壓上下波形、測(cè)量緩啟動(dòng)電路參數(shù)、電源電流和沖擊電流、電源告警信號(hào)、冗余電源的均流參數(shù)。

③ 接口一致性測(cè)試，主要有以太網(wǎng)、USB2.0、USB3.0、MIPI、HDMI、SATA、DisplayPort、PCIE。

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